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KNX2908A 85V130A-产品特性1、专有新沟槽技术2、RDS(ON),Typ.=5.0mΩ@VGS=10V3、低门电荷减小开关损耗4、快速恢复体二极管
www.kiaic.com/article/detail/4192.html 2023-04-19
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www.kiaic.com/article/detail/4191.html 2023-04-19
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P沟道MOS管的空穴迁移率低,因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外,P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高,有较高的工作电压。
www.kiaic.com/article/detail/4190.html 2023-04-19
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SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断 电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。
www.kiaic.com/article/detail/4189.html 2023-04-18
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中间两层管子L=0.3um,其余放大电路管子L=0.2um。这样做是因为考虑到共源共栅电路的放大倍数很大,即使选择L很小依然满足放大要求。而且这样一来可以尽可能的减小Rout而使gm增大。gm越大带宽也越大。
www.kiaic.com/article/detail/4188.html 2023-04-18
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通常,最小栅极电压(对于5V正逻辑)在0.5V至1V之间。那些高于最大阈值的栅极电压会导通MOSFET。在最小栅极电压的最高点和最大栅极电压的最低点之间的电压可能让MOSFET或导通或关断。
www.kiaic.com/article/detail/4187.html 2023-04-18
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如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样,热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth;同理,电子领域的电流就等同于热领域中的元件功率;电压值也可以等效为温度值。
www.kiaic.com/article/detail/4186.html 2023-04-14
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高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流,考验对象是MOSFET边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。
www.kiaic.com/article/detail/4185.html 2023-04-14
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SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。
www.kiaic.com/article/detail/4184.html 2023-04-14
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优化栅极驱动设计,正是在互相矛盾的要求中寻求一个平衡点,而这个平衡点就是开关导通时漏极电流上升的速度和漏极电压下降速度相等这样一种波形,理想的驱动波形如图6所示。
www.kiaic.com/article/detail/4183.html 2023-04-13
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电源正常接入,也就是电源没有正负反接,此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1,此时MOS管将不导通,但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。
www.kiaic.com/article/detail/4182.html 2023-04-13
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静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。
www.kiaic.com/article/detail/4181.html 2023-04-13
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电阻R1,电容C2,双向二极管D2构成锯齿波发生器,接通 电源 后,C2经R1充电,当C2的电压达到D2的击穿电压时,尖电流脉冲加到BG2的栅极,由于变压器的耦合作用,电路开始振荡,其振荡频率由L1,C4决定,此时,锯齿波发生器停止工作,C2经D1,BG1放电。
www.kiaic.com/article/detail/4180.html 2023-04-12
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电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避兔的。所以就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的。
www.kiaic.com/article/detail/4179.html 2023-04-12